Vishay Semiconductor Diodes Division - BAW27-TAP

KEY Part #: K6455271

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Número de peza:
BAW27-TAP
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAW27-TAP Atributos do produto

Número de peza : BAW27-TAP
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 60V
Actual - Media rectificada (Io) : 600mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 400mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 6ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 60V
Capacitancia @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : DO-35
Temperatura de funcionamento: unión : 175°C (Max)

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