Número de peza :
IXTT34N65X2HV
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
34A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
96 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
54nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3000pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
540W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-268HV
Paquete / Estuche :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA