Número de peza :
IXTQ48N20T
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
48A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
60nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3090pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3