RFN2LAM6STR Prezos (USD) [493751unidades de stock]
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- Número de peza:
- RFN2LAM6STR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vr 1.5A Io Fast Recovery Diode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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RFN2LAM6STR Atributos do produto
Número de peza :
RFN2LAM6STR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
1.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.55V @ 1.5A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOD-128
Paquete de dispositivos de provedores :
PMDTM
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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Pezas quentes
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- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08