GeneSiC Semiconductor - MURT20010R

KEY Part #: K6468664

MURT20010R Prezos (USD) [999unidades de stock]

  • 1 pcs$46.46811
  • 25 pcs$29.08672

Número de peza:
MURT20010R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT20010R Atributos do produto

Número de peza : MURT20010R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Serie : -
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 200A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 100A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 75ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 25µA @ 50V
Temperatura de funcionamento: unión : -
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Three Tower
Paquete de dispositivos de provedores : Three Tower
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