Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1N80CW RPG

KEY Part #: K6394288

TSM1N80CW RPG Prezos (USD) [418552unidades de stock]

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Número de peza:
TSM1N80CW RPG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM1N80CW RPG Atributos do produto

Número de peza : TSM1N80CW RPG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 300mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.6 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 200pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.1W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-223
Paquete / Estuche : TO-261-4, TO-261AA

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