DMN6022SSD-13 Prezos (USD) [277874unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN6022SSD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Finalidade especial and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 electronic components. DMN6022SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6022SSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN6022SSD-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMN6022SSD-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2110pF @ 30V
Potencia: máx :
1.2W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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