Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Produtos semicondutores discretos
  4. Diodos - Rectificadores - Solteiros
  5. 1N6663US

Microsemi Corporation - 1N6663US

KEY Part #: K6427629

1N6663US Prezos (USD) [4091unidades de stock]

  • 1 pcs$11.02191
  • 10 pcs$10.19677
  • 25 pcs$9.36978
  • 100 pcs$8.70842
  • 250 pcs$7.60204
Número de peza:
1N6663US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A. Rectifiers Rectifier
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6663US electronic components. 1N6663US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6663US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6663US Atributos do produto

Número de peza : 1N6663US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 500mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 400mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 50nA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SQ-MELF, A
Paquete de dispositivos de provedores : D-5A
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

Últimas novas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Tamén pode estar interesado
  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

Pezas quentes