ON Semiconductor - FFSB1065B-F085

KEY Part #: K6442677

FFSB1065B-F085 Prezos (USD) [32782unidades de stock]

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Número de peza:
FFSB1065B-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
650V 10A SIC SBD GEN1.5. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SIC SBD G EN1.5
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FFSB1065B-F085 Atributos do produto

Número de peza : FFSB1065B-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : 650V 10A SIC SBD GEN1.5
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 650V
Actual - Media rectificada (Io) : 27A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 10A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 40µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F : 421pF @ 1V, 100kHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : D2PAK-3 (TO-263)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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