Número de peza :
1N5811US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
150V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
875mV @ 4A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, B
Paquete de dispositivos de provedores :
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C