Microsemi Corporation - 1N5811US

KEY Part #: K6446463

1N5811US Prezos (USD) [9660unidades de stock]

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Número de peza:
1N5811US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5811US Atributos do produto

Número de peza : 1N5811US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 150V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 875mV @ 4A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SQ-MELF, B
Paquete de dispositivos de provedores : B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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