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- Número de peza:
- IDB10S60C
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE SILICON 600V 10A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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IDB10S60C Atributos do produto
Número de peza :
IDB10S60C
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 10A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
140µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
480pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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