BSZ520N15NS3GATMA1 Prezos (USD) [159571unidades de stock]
- 1 pcs$0.23179
- Número de peza:
- BSZ520N15NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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BSZ520N15NS3GATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSZ520N15NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
890pF @ 75V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
57W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TSDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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