Taiwan Semiconductor Corporation - SFF1008GAHC0G

KEY Part #: K6426088

SFF1008GAHC0G Prezos (USD) [238574unidades de stock]

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Número de peza:
SFF1008GAHC0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SFF1008GAHC0G Atributos do produto

Número de peza : SFF1008GAHC0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 5A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Paquete de dispositivos de provedores : ITO-220AB
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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