APTGT200A120G Prezos (USD) [766unidades de stock]
- 1 pcs$81.28723
- 10 pcs$77.36084
- 25 pcs$74.55792
- Número de peza:
- APTGT200A120G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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APTGT200A120G Atributos do produto
Número de peza :
APTGT200A120G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
280A
Potencia: máx :
890W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
350µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP6
Paquete de dispositivos de provedores :
SP6
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