Taiwan Semiconductor Corporation - HER308G B0G

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HER308G B0G Prezos (USD) [666819unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05547

Número de peza:
HER308G B0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 3A DO201AD.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HER308G B0G Atributos do produto

Número de peza : HER308G B0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : -
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 3A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 75ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F : 35pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : DO-201AD, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : DO-201AD
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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