Número de peza :
JDH3D01STE85LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
RF DIODE SCHOTTKY 4V SSM
Tensión - Pico inverso (máximo) :
4V
Capacitancia @ Vr, F :
0.6pF @ 0.2V, 1MHz
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
125°C (TJ)
Paquete / Estuche :
SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivos de provedores :
SSM