DGD2181S8-13 Prezos (USD) [74538unidades de stock]
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- Número de peza:
- DGD2181S8-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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DGD2181S8-13 Atributos do produto
Número de peza :
DGD2181S8-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración conducida :
Half-Bridge
Tipo de canle :
Independent
Número de condutores :
2
Tipo de porta :
IGBT, N-Channel MOSFET
Tensión - subministración :
10V ~ 20V
Tensión lóxica - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Actual - Saída máxima (fonte, afundimento) :
1.9A, 2.3A
Tipo de entrada :
Non-Inverting
Tensión lateral elevada: máx. :
600V
Tempo de subida / caída (típico) :
40ns, 20ns
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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