TPH3207WS Prezos (USD) [2717unidades de stock]
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- 10 pcs$13.48249
- 100 pcs$11.51458
- Número de peza:
- TPH3207WS
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrición detallada:
- GANFET N-CH 650V 50A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Transphorm TPH3207WS electronic components. TPH3207WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3207WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH3207WS Atributos do produto
Número de peza :
TPH3207WS
Fabricante :
Transphorm
Descrición :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.65V @ 700µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (máximo) :
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2197pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
178W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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