RFN1LAM6STR Prezos (USD) [1067595unidades de stock]
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- 75,000 pcs$0.02534
- Número de peza:
- RFN1LAM6STR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 700V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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RFN1LAM6STR Atributos do produto
Número de peza :
RFN1LAM6STR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
800mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.45V @ 800mA
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOD-128
Paquete de dispositivos de provedores :
PMDTM
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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- RC 2V1
- 1N648-1
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- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
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- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
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