Taiwan Semiconductor Corporation - TSM120NA03CR RLG

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TSM120NA03CR RLG Prezos (USD) [454516unidades de stock]

  • 1 pcs$0.08138

Número de peza:
TSM120NA03CR RLG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM120NA03CR RLG Atributos do produto

Número de peza : TSM120NA03CR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 39A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 9.2nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 562pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 33W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-PDFN (5x6)
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

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