Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5404GHB0G

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1N5404GHB0G Prezos (USD) [1146094unidades de stock]

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Número de peza:
1N5404GHB0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5404GHB0G Atributos do produto

Número de peza : 1N5404GHB0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 3A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : DO-201AD, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : DO-201AD
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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