FCP125N60E Prezos (USD) [42335unidades de stock]
- 1 pcs$1.56535
- 800 pcs$1.55757
- Número de peza:
- FCP125N60E
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 29A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCP125N60E electronic components. FCP125N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP125N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCP125N60E Atributos do produto
Número de peza :
FCP125N60E
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Serie :
SuperFET® II
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
29A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2990pF @ 380V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
278W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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