Micron Technology Inc. - EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Prezos (USD) [14008unidades de stock]

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Número de peza:
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrición detallada:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Atributos do produto

Número de peza : EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrición : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño da memoria : 1Gb (64M x 16)
Frecuencia do reloxo : 533MHz
Cycle Time - Word, páx : -
Tempo de acceso : -
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de operación : -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 134-VFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 134-VFBGA (10x11.5)

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