NVMFS5C430NLWFAFT1G Prezos (USD) [114922unidades de stock]
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- Número de peza:
- NVMFS5C430NLWFAFT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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NVMFS5C430NLWFAFT1G Atributos do produto
Número de peza :
NVMFS5C430NLWFAFT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
38A (Ta), 200A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4300pF @ 20V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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