Microsemi Corporation - APTM10UM02FAG

KEY Part #: K6396618

APTM10UM02FAG Prezos (USD) [657unidades de stock]

  • 1 pcs$70.58331
  • 100 pcs$68.99441

Número de peza:
APTM10UM02FAG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 570A SP6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Diodos - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10UM02FAG Atributos do produto

Número de peza : APTM10UM02FAG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 570A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1360nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 40000pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1660W (Tc)
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SP6
Paquete / Estuche : SP6

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