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- Número de peza:
- IRF6706S2TR1PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: SCRs, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6706S2TR1PBF electronic components. IRF6706S2TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6706S2TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6706S2TR1PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF6706S2TR1PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
17A (Ta), 63A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1810pF @ 13V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET S1
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric S1
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