Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5624GPHE3/54

KEY Part #: K6447878

[1273unidades de stock]


    Número de peza:
    1N5624GPHE3/54
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: TRIAC ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N5624GPHE3/54 Atributos do produto

    Número de peza : 1N5624GPHE3/54
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    Serie : SUPERECTIFIER®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
    Actual - Media rectificada (Io) : 3A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 3A
    Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 3µs
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 200V
    Capacitancia @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : DO-201AD, Axial
    Paquete de dispositivos de provedores : DO-201AD
    Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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