Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4448WS-HE3-08

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Número de peza:
1N4448WS-HE3-08
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4448WS-HE3-08 Atributos do produto

Número de peza : 1N4448WS-HE3-08
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 75V
Actual - Media rectificada (Io) : 150mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 720mV @ 5mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : 4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SC-76, SOD-323
Paquete de dispositivos de provedores : SOD-323
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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