Infineon Technologies - IPD30N08S222ATMA1

KEY Part #: K6420112

IPD30N08S222ATMA1 Prezos (USD) [161638unidades de stock]

  • 1 pcs$0.22883
  • 2,500 pcs$0.21792

Número de peza:
IPD30N08S222ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Finalidade especial and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IPD30N08S222ATMA1 electronic components. IPD30N08S222ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD30N08S222ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD30N08S222ATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPD30N08S222ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 80µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1400pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 136W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO252-3
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63