Número de peza :
1N5195UR
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
180V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 100mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
25nA @ 180V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-213AA (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-213AA
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C