DF200R12W1H3FB11BOMA1 Prezos (USD) [1128unidades de stock]
- 1 pcs$38.34155
- Número de peza:
- DF200R12W1H3FB11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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DF200R12W1H3FB11BOMA1 Atributos do produto
Número de peza :
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Serie :
EasyPACK™
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuración :
Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
30A
Potencia: máx :
20mW
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.45V @ 15V, 30A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
6.15nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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