APT35GP120B2DQ2G Prezos (USD) [4309unidades de stock]
- 1 pcs$10.05361
- 10 pcs$9.13998
- 25 pcs$8.45448
- 100 pcs$7.38992
- 250 pcs$6.73790
- Número de peza:
- APT35GP120B2DQ2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 96A 543W TMAX.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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APT35GP120B2DQ2G Atributos do produto
Número de peza :
APT35GP120B2DQ2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Serie :
POWER MOS 7®
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
PT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
96A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
140A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 35A
Potencia: máx :
543W
Enerxía de conmutación :
750µJ (on), 680µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
150nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
16ns/95ns
Condición da proba :
600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivos de provedores :
-
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