BFL4026-1E Prezos (USD) [28253unidades de stock]
- 1 pcs$1.45872
- 350 pcs$0.89315
- Número de peza:
- BFL4026-1E
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 900V 3.5A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor BFL4026-1E electronic components. BFL4026-1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BFL4026-1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BFL4026-1E Atributos do produto
Número de peza :
BFL4026-1E
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 900V 3.5A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
650pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220F-3FS
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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