Infineon Technologies - DZ800S17K3HOSA1

KEY Part #: K6473552

DZ800S17K3HOSA1 Prezos (USD) [721unidades de stock]

  • 1 pcs$64.44259

Número de peza:
DZ800S17K3HOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE 1700V 800A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DZ800S17K3HOSA1 Atributos do produto

Número de peza : DZ800S17K3HOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE 1700V 800A
Serie : -
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : -
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1700V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : -
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 2.2V @ 800A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 780A @ 900V
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : AG-62MM-2

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