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- Número de peza:
- 1SS193S,LF(D
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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1SS193S,LF(D Atributos do produto
Número de peza :
1SS193S,LF(D
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
80V
Actual - Media rectificada (Io) :
100mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.2V @ 100mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
500nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
S-Mini
Temperatura de funcionamento: unión :
125°C (Max)
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