Infineon Technologies - FZ1200R33KF2CNOSA1

KEY Part #: K6532841

FZ1200R33KF2CNOSA1 Prezos (USD) [42unidades de stock]

  • 1 pcs$820.05185

Número de peza:
FZ1200R33KF2CNOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MODULE IGBT A-IHV190-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R33KF2CNOSA1 Atributos do produto

Número de peza : FZ1200R33KF2CNOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MODULE IGBT A-IHV190-3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Configuración : Full Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 3300V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 2000A
Potencia: máx : 14500W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 4.25V @ 15V, 1200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 12mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 150nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

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