SISS02DN-T1-GE3 Prezos (USD) [129956unidades de stock]
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- Número de peza:
- SISS02DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3 electronic components. SISS02DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS02DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISS02DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SISS02DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
51A (Ta), 80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
83nC @ 10V
Vgs (máximo) :
+16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4450pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8S
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