Diodes Incorporated - DMN3012LDG-13

KEY Part #: K6522503

DMN3012LDG-13 Prezos (USD) [126375unidades de stock]

  • 1 pcs$0.29268

Número de peza:
DMN3012LDG-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3012LDG-13 electronic components. DMN3012LDG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3012LDG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3012LDG-13 Atributos do produto

Número de peza : DMN3012LDG-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Potencia: máx : 2.2W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-PowerLDFN
Paquete de dispositivos de provedores : PowerDI3333-8