Número de peza :
1N4448TR_S00Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 100mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-35
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C