Infineon Technologies - SIDC59D170HX1SA2

KEY Part #: K6449624

[677unidades de stock]


    Número de peza:
    SIDC59D170HX1SA2
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIDC59D170HX1SA2 Atributos do produto

    Número de peza : SIDC59D170HX1SA2
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
    Serie : -
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1700V
    Actual - Media rectificada (Io) : 100A (DC)
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.8V @ 100A
    Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : -
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 27µA @ 1700V
    Capacitancia @ Vr, F : -
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : Die
    Paquete de dispositivos de provedores : Sawn on foil
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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