A2G35S200-01SR3 Prezos (USD) [756unidades de stock]
- 1 pcs$61.37230
- Número de peza:
- A2G35S200-01SR3
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: TRIAC, Diodos - RF and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
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A2G35S200-01SR3 Atributos do produto
Número de peza :
A2G35S200-01SR3
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de transistor :
LDMOS
Frecuencia :
3.4GHz ~ 3.6GHz
Ganancia :
16.1dB
Tensión: proba :
48V
Valoración actual :
-
Figura de ruído :
-
Actual - Proba :
291mA
Potencia - Saída :
180W
Tensión: clasificada :
125V
Paquete / Estuche :
NI-400S-2S
Paquete de dispositivos de provedores :
NI-400S-2S
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