STMicroelectronics - STW15NM60N

KEY Part #: K6398881

STW15NM60N Prezos (USD) [13552unidades de stock]

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  • 10 pcs$2.73763
  • 100 pcs$2.25105
  • 500 pcs$1.88600

Número de peza:
STW15NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW15NM60N Atributos do produto

Número de peza : STW15NM60N
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
Serie : MDmesh™ II
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 14A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1250pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247-3
Paquete / Estuche : TO-247-3

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