[2152unidades de stock]
- Número de peza:
- SPV1001N30
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics SPV1001N30 electronic components. SPV1001N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPV1001N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPV1001N30 Atributos do produto
Número de peza :
SPV1001N30
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
30V
Actual - Media rectificada (Io) :
12.5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
850mV @ 5A
Velocidade :
-
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 30V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Temperatura de funcionamento: unión :
-45°C ~ 150°C
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