Número de peza :
RS1E350BNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
185nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7900pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSOP
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN