IXYS - IXFH20N100P

KEY Part #: K6395089

IXFH20N100P Prezos (USD) [11263unidades de stock]

  • 1 pcs$4.22884
  • 30 pcs$4.20780

Número de peza:
IXFH20N100P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXFH20N100P electronic components. IXFH20N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH20N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH20N100P Atributos do produto

Número de peza : IXFH20N100P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7300pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 660W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247AD (IXFH)
Paquete / Estuche : TO-247-3