Vishay Semiconductor Diodes Division - GPP60DHE3/54

KEY Part #: K6447325

GPP60DHE3/54 Prezos (USD) [1462unidades de stock]

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Número de peza:
GPP60DHE3/54
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GPP60DHE3/54 Atributos do produto

Número de peza : GPP60DHE3/54
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 6A P600
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 6A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 5.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : P600, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : P600
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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