IXYS - IXFA3N80

KEY Part #: K6416561

IXFA3N80 Prezos (USD) [15784unidades de stock]

  • 1 pcs$2.88640
  • 50 pcs$2.87204

Número de peza:
IXFA3N80
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA3N80 Atributos do produto

Número de peza : IXFA3N80
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 685pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 100W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263 (IXFA)
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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