Vishay Semiconductor Diodes Division - S1B-E3/61T

KEY Part #: K6433313

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Número de peza:
S1B-E3/61T
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1B-E3/61T Atributos do produto

Número de peza : S1B-E3/61T
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.8µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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