IXYS - IXTQ42N25P

KEY Part #: K6394645

IXTQ42N25P Prezos (USD) [31018unidades de stock]

  • 1 pcs$1.46896
  • 30 pcs$1.46166

Número de peza:
IXTQ42N25P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXTQ42N25P electronic components. IXTQ42N25P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ42N25P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ42N25P Atributos do produto

Número de peza : IXTQ42N25P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
Serie : PolarHT™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 250V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 42A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 84 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2300pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-3P
Paquete / Estuche : TO-3P-3, SC-65-3