NSB8AT-E3/81 Prezos (USD) [143207unidades de stock]
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- Número de peza:
- NSB8AT-E3/81
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
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NSB8AT-E3/81 Atributos do produto
Número de peza :
NSB8AT-E3/81
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 8A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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